Hynix представляет ОЗУ DDR4-2400

В начале этого года мы сообщали о том, что компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти стандарта DDR4 с эффективной частотой 2133 МГц и напряжении питания 1,2 В. Спустя три месяца на стезю по производству микросхем ОЗУ стандарта DDR4 ступила ещё одна компания – Hynix Semiconductor. Причём, разработчики из Hynix оказались на шаг впереди своих коллег из Samsung, хоть и стартовали позже. Подробности далее по тексту.

Дело в том, что Hynix продемонстрировала память DDR4 с более высокой эффективной частотой, равной 2400 МГц. При этом новые модули ОЗУ производства Hynix используют всё тот же 30-нм технологический процесс, что и DDR4-память Samsung, и вольтаж 1,2 В. Анонсированная память Hynix ECC-SODIMM 2 Гбайт (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Modules) состоит из 2-гигабитных микросхем DDR4 с пропускной способностью до 19,2 Гб/с.

Представители компании Hynix говорят, что новые модули ОЗУ ориентированы, прежде всего, на использование при построении серверных решений и настольных компьютерный систем. Впрочем, в качестве перспективного рынка сбыта производители рассматривают и сегмент планшетных ПК. Массовые поставки ОЗУ DDR4 компания Hynix начнёт во второй половине 2012 года, хотя вплоть до 2015 года, по обещаниям аналитиков, главенствующим стандартом оперативной памяти будет оставаться DDR3.