Intel и Micron переходят на 20 нм

Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать микросхемы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 Гбайт в виде миниатюрных модулей, позволяющих хранить огромное количество данных в смартфонах и планшетах. Эти чипы также будут применяться в твердотельных накопителях (SSD).

Новые микросхемы емкостью 8 Гбайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате по сравнению с чипами той же емкости, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 Гбайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 года. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 Гбайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше американской почтовой марки.