3D-транзисторы – новые горизонты компьютерного мира

Основанная в 2004 году японская компания Unisantis объявила о начале 2-годичных совместных с Институтом Микроэлектроники Сингапура (Singapore's Institute of Microelectronics) исследований в области разработки трехмерного транзистора. Его кодовое название – Stacked Gate Transistor (SGT – транзистор с многослойным затвором). По мнению исследователей, он увеличит скорость процессоров до 20 – 50 ГГц.

Одним из руководителей разработчиков является Фуджио Масуока (Fujio Masuoka) – ученый с мировым именем в области физики полупроводников (именно он был создателем flash-памяти в компании Toshiba). На данный момент основной сферой применения трёхмерных структур являются SSD-устройства (твердотельные накопители), в них исток, затвор и сток транзистора расположены вертикально, в отличие от традиционного горизонтального размещения. Это позволяет создавать быструю, прочную и компактную память.

По мнению Unisantis, сфера применения SGT значительно шире рынка накопителей, трёхмерные транзисторы станут следующим витком эволюции этих устройств, полностью вытеснив плоские из всех областей их использования. Если производительность одного потока с использованием этих транзисторов вырастет, то увеличится и скорость работы программ. Быстродействие системы снова будет зависеть не только от программистов, но и от изготовителей чипов.

Сроки внедрения этих транзисторов в производство пока не определены даже приблизительно, и вероятно они примерно совпадут с появлением 10-ядерных процессоров (преемников Nehalem). Может быть, использование SGT замедлит увеличение количества ядер в процессорах.