Учёные из Южной Кореи разработали прозрачный чип RAM

Учёные из Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) сообщили, что они смогли создать практически полностью прозрачный чип памяти, который они назвали Transparent Resistive Random Access Memory (TRRAM). Разработчики пока не представили изображений своего изобретения, но если это правда, то это – первый прозрачный чип.

Разработки в этой области идут уже около 10 лет. Но пока результаты были ограничены лишь отдельными прозрачными компонентами, например, такими как транзисторы. Разработка KAIST на сегодняшний день является единственной в мире.

Чип TRRAM базируется на сравнительно молодой технологии RRAM, которая была разработана такими компаниями как Fujitsu, Samsung, Micron и Spansion. При этом RRAM не требует питания для поддержания состояния своих ячеек и со временем должна будет заменить флэш память. Но насколько у неё это получится пока неясно, уже появлялось множество технологий, призваных заменить флэш память, но она по прежнему используется.

Исследователи из KAIST сообщают, что их чип TRRAM базируется на оксиде индия и олова и пропускает 81% света в видимом диапазоне. При этом срок службы устройств, изготовленных по этой технологии, должен быть около 10 лет. Чтобы добиться прозрачности, разработчики использовали материалы RRAM, которые прозрачны сами по себе, и разместили их между электродами и подложкой, пропускающими свет в видимом диапазоне.

Хоть прозрачные электронные устройства очень интересны, сейчас в этой сфере мало результатов. Например, в 2003 году Oregon State University разработал прозрачный транзистор и надеялся что он сможет изменить производство чипов. Тода учёные предполагали, что с помощью этого транзистора смогут создать мониторы в обычных окнах и в LCD-дисплеях появятся новый функции. Но пока ничего из этого не реализовано.

Тем не менее, исследователи из KAIST верят в свою разработку. И считают, что с её помощью можно будет создавать компьютерные устройства, вмонтированные, например, в дверцу шкафа. Информация о разработке KAIST опубликована в Applied Physics Letters за 3 декабря этого года.