Micron и Sun разработали износостойкий вид NAND флэш-памяти

19 декабря 2008, Зозуля Юрий 0
Новый вид NAND флэш-памяти с одноуровневыми ячейками (SLC) выдерживает до миллиона циклов перезаписи

Компания Micron Technology совместно с компанией Sun Microsystems разработали новый вид NAND флэш-памяти с  одноуровневыми ячейками (Single-Level Cell, SLC). Новая память имеет увеличенный срок службы и выдерживает до миллиона циклов перезаписи.

Micron и Sun разработали износостойкий вид NAND флэш-памяти

По заявлению представителей Micron, чипы флэш-памяти, выполненные по данной технологии, могут быть использованы в твердотельных накопителях, системах кэширования дисков и других устройствах. Компания Micron уже начала пробный выпуск чипов объемом 32 Гбит, а серийное производство начнется в первом квартале 2009 года. Также в планах производителя значится перевод производства одноуровневой (SLC) и многоуровневой (MLC) NAND-памяти на 34 нм техпроцесс.

Источник: www.xbitlabs.com

Отзывы

0 Оставить отзыв

    Добавить отзыв

    загрузить другую
    Ваш отзыв

    Свежие новости раздела

    Все новости раздела

    Все свежие новости

    Все новости