ГлавнаяНовостиКомпьютерные технологииSamsung начнет массовый выпуск 40-нм DDR3 емкостью 2 Гбит

Samsung начнет массовый выпуск 40-нм DDR3 емкостью 2 Гбит

16 марта 2009, Локтев Игорь 0
Компания Samsung проверила первую микросхему DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии.

Директор по маркетингу Samsung Semiconductor Europe памяти Герд Шаусс заявил об успешной проверке первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии. Уже к концу 2009 года компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию в массовом производстве устройств DDR3 емкостью 2 Гбит. Предполагается, что новая технология позволит снизить напряжение питания, до 30% сократить энергопотребление и на 60% увеличить производительность, по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии.

В 2009 году Samsung начнет массовое производство 40-нм DDR3

Кроме того, компания Samsung не исключает, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания суперпроизводительных компонентов DRAM нового поколения – DDR4.

Рекомендуем также почитать

  1. Новость Тайваньское правительство поможет своим производителям DRAM
  2. Новость Qimonda создала первые образцы 46 нм DDR3-памяти
  3. Новость Micron вкладывает в производство DRAM $400 млн
  4. Новость Samsung готовит к выпуску 16 Гбайтные модули DDR3 RAM
  5. Компания Samsung

Отзывы

0 Оставить отзыв
    Всего отзывов    0
    Оставить отзыв

    Добавить отзыв

    загрузить другую
    Ваш отзыв
    Показать все смайлы
    © Mantsurov Ivan, знакомые колобки?
    :-):THUMBS UP:=-O:-(O=):sorry:;-):mad::-!:-/:-D:-[=@:Bravo::'(:crazy::dance::wall::evil::declare:8-):drink::gamer::-*:girl_smile::help::sup:[:-}:no:\m/:ok::pardon::hi::punish::lol::rtfm:

    Свежие новости раздела

    Все новости раздела

    Популярные новости

    Все новости

    Все свежие новости

    Все новости