IBM пытается изобрести память на основе нано-технологии

Новое устройство памяти, создаваемое на основе нанотехнологии, разрабатывается исследователями компании IBM, которое обладало бы лучшими качествами различных типов памяти, используемые сегодня, а также способствовало бы снижению цен и улучшению производительности.

Экспериментальная память демонстрирует хорошие результаты, хотя работа над ней находится всё ещё на очень ранних стадиях. Она смогла бы стать универсальной памятью, взамен различным типам памяти, используемые в настоящее время.

Стюарт Паркин (Stuart Parkin), экспериментальный физик в Исследовательском Центре Альмаден (Almaden Research Center) в Сан-Хосе, говорит, что память, которая смогла бы упаковать сто бит данных на один нанопроводник, могла бы потенциально хранить в 10-100 раз больше данных, чем современная flash-память, используемая в цифровых камерах и других портативных устройствах, и работать на горазда более быстрых скоростях.

Так как это полупроводниковая память, она была бы намного более стойкой, чем запись на магнитные накопители на жёстких дисках, которые требуют, чтобы механические устройства считывали и записывали данные.

"В принципе, она могла бы быть дешевле, чем flash-память, более плотной, чем flash-память и на порядок более быстрой",- заявляет Паркин, – "А также нет никакого изнашивающегося механизма, так что она абсолютно надёжна!".