Создана 20-нм NAND-память емкостью 128 Гбит

Intel и Micron Technology объявили о создании 20-нанометровой NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 128 Гбит. Кроме того, компании начали массовое производство 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.

Разработанный совместным предприятием IM Flash Technologies (IMFT) монолитный модуль позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего воесмь кристаллов. Он соответствует спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и помогает создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

В 20-нм NAND-памяти используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

По мнению Intel и Micron, объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить быстрый переход к 128-гигабитным модулям в 2012 году. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а к серийному производству – в первой половине 2012 года.