Начались поставки трехуровневой NAND-памяти

Intel и Micron Technology начали поставки NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек, каждая из которых способна хранить три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). На сегодняшний день новые микросхемы доступны отдельным производителям, а серийное производство планируется начать к концу текущего года.

Новая NAND-память изготавливается в соответствии с нормами 25-нанометрового техпроцесса, благодаря чему достигается наибольшая емкость при наименьших размерах. Модули памяти 3bpc вмещают по 64 Гбит данных. По сравнению с продуктами предыдущих поколений они обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью. В модулях NAND 64 Гбит (8 Гбайт) каждая ячейка хранит по три бита данных против двух бит в технологии предыдущего поколения.

Площадь изделия составляет 131 мм², оно помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). Компактные микросхемы предназначены для USB-накопителей, карт памяти и потребительской электроники.