Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM

Компания Samsung Electronics создала и успешно протестировала модуль памяти RDIMM емкостью 8 Гбайт на базе экологичной технологии Green DDR3 DRAM. По сравнению с предыдущими разработками, новинка отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV (Through-silicon via).

Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Это значительно повышает скорость передачи данных. Новая технология позволит увеличить плотность записи и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения. К тому же, новый модуль памяти, если верить разработчикам, экономит до 40% энергии по сравнению с обычной памятью RDIMM.

Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется предположительно в 2012 году. Samsung планирует применить преимущества TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах.

"Компания Samsung способна удовлетворить запросы современного рынка оперативной памяти с учетом постоянного совершенствования технологии формирования структуры чипа, что ведет за собой рост производительности и более эффективную работу памяти, — отметил Чан Хён Ким (Chang-Hyun Kim), старший вице-президент подразделения Memory Product Planning & Application Engineering в компании Samsung Electronics. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. Новые продукты, использующие технологию 3D TSV, укрепят лидерство Samsung и его партнеров на рынке устройств хранения данных".