Intel и Micron: новая технология производства памяти NAND

Корпорация Intel и компания Micron Technology представили новую технологию производства NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных. Эта технология, названная 3bpc NAND, основана на 34-нанометровом процессе и предназначена для изготовления чипов памяти, которые применяются в устройствах хранения данных — картах памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Новая технология была разработана и запущена в производство IM Flash Technologies (IMFT) — совместным предприятием Intel и Micron Technology. Благодаря возможности осуществлять запись в каждую ячейку NAND-памяти трех битов данных компаниям удалось добиться рекордного повышения эффективности затрат на производство 32-гигабитных чипов. Кроме того, выпускаемые на базе данной технологии микросхемы памяти являются самыми миниатюрными на рынке: они занимают площадь 126 мм². В настоящее время Micron поставляет образцы новых микросхем для тестирования. Массовое производство намечено на четвертый квартал 2009 года.